স্টেটমেন্ট অফ পারপাসের (SOP) খুটিনাটি (নমুনাসহ)

 বিদেশে স্কলারশিপ বা ফুলফান্ডিং নিয়ে পড়াশোনার সুযোগ গ্রহণে গুরুত্বপূর্ণ ভুমিকা পালন করবে। নিজের সম্পর্কে তথ্যাবলি প্রদান করে নিজেকে যোগ্য হিসেবে উপস্থাপন করে SOP তৈরি করা হয়। আপনি কে, আপনার একাডেমিক ব্যাকগ্রাউন্ড, অভিজ্ঞতা, অর্জন, কেন এই বিষয়ে এই বিশ্ববিদ্যালয়ে পড়তে চান এই সকল তথ্য আকর্ষণীয়ভাবে এ উপস্থাপন করা হয়ে থাকে।  যত আকর্ষণীয় হবে সুযোগ পাওয়ার সম্ভাবনাও ততো বেড়ে যাবে।

SOP মানে Statement of Purpose। বিশ্ববিদ্যালয়ভেদে কোথাও স্টেটমেন্ট অফ পারপাস, কোথাও প্রপোজাল লেটার পাঠাতে হয়। স্টেটমেন্ট অফ পারপাস হলো এমন এক রচনা, নিজের সম্পর্কে লিখতে হয়। এতে বলতে হয় নিজের সম্পর্কে, কেনো এই বিশ্ববিদ্যালয়ে বা এই বিষয়ে পড়তে আগ্রহী, এসব কিছু। অনেক সময় সূক্ষ্ম ভুলের কারণে স্কলারশিপ হাতছাড়া হয়ে যায়। তাই স্টেটমেন্ট অফ পারপাস, কভার লেটার বা প্রপোজাল লেটার লেখার সময় আমাদের কিছু বিষয়ে খেয়াল রাখা। একাডেমিক্যালি এর সুনির্দিষ্ট কোনো গঠন না থাকলেও আমার মতে SOP লিখার সময় পাঁচটি বিষয়ের প্রতি অবশ্যই খেয়াল রাখা প্রয়োজন।

• আপনার ব্যাকগ্রাউন্ড তুলে ধরে আপনি যে স্কলারশিপে বা সাবজেক্টে এপ্লাই করছেন তার পেছনে মূল কারণ বা মোটিভেশন কি তা প্রথম প্যারায় তুলে ধরা।
• উক্ত সাবজেক্টে আপনার অতীত অভিজ্ঞতা ও এর প্রমাণাদি উপস্থাপন করা। যেমন আপনি এই সাবজেক্টে কি কি কাজ করেছেন, কি ধরনের অভিজ্ঞতা অর্জন করেছেন তা উল্লেখ করাস।
• আপনি কেন সেরা বা আপনাকে কে ঐ স্কলারশিপ অথোরিটি বা ইউনিভার্সিটি সিলেক্ট করবে তা ব্যাখ্যা করা।
• আপনাকে কেন ঐ স্কলারশিপ বা ইউনিভার্সিটিকে চয়েজ করেছেন তা তুলে ধরা।
• উক্ত সাবজেক্টে পড়ে আপনি ভবিষ্যতে কি করতে চান, আপনার ভবিষ্যত পরিকল্পনাগুলো তুলে ধরা।

এছাড়াও আরো যে বিষয়গুলো অবশ্যই খেয়াল রাখতে হবে:

১. কপিপেস্ট করবেন না-

ভুলেও কপিপেস্ট করা SOP পাঠাবেন না। কপিপেস্ট করা লেটার দেখা মাত্র ডিলিট হবে। আপনার মেইল বা এপ্লাই করাই বৃথা। তাই স্টেটমেন্ট লেখার জন্য প্রথম পরামর্শ হলো, অন্য কারো নমুনাকে এদিক সেদিক করে চালাবার কাজটা কখনোই করবেন না। নিজে লিখুন। আপনার মেইলের প্রথমেই প্রফেসরকে সন্বোধন করুন। প্রফেসরকে যথাযথভাবে সম্বোধন না করলে অধিকাংশক্ষেত্রেই সম্ভাবনা থাকে বাকিটা না পড়েই মেইলটি ডিলিট করে দেয়ার। প্রোগ্রাম কো-অরডিনেটর বা প্রফেসরের লাস্ট নেম দ্বারা সম্বোধন করুন। নামের আগে প্রফেসর লিখতে ভুলবেন না কিন্তু। আর ওয়েবসাইটে আপ করলে বা কোনো বক্সে লিখলে তো সরাসরি SOP আপ করে দিলেই হবে। তবে এই ক্ষেত্রে কোনো ওয়ার্ড লিমিট আছে কিনা খেয়াল রাখবেন।

২. সাবলীলভাবে লিখুন-

যথাসম্ভব সহজ ইংরেজিতে এবং সরল বাক্যে লিখুন। জটিল বাক্য ব্যবহার এড়িয়ে চলুন।

৩. নিজের সম্পর্কে বলুন-

প্রথমেই আপনি নিজের পরিচয় প্রদান করুন। আপনার নাম, পেশা, জাতীয়তা কোন দেশের নাগরিক অর্থাৎ ব্যক্তিগত পরিচয়কে প্রাধান্য দিন। এছাড়া কোন বিষয়ে পড়তে চান এটিও প্রথম প্যারাতেই অন্তর্ভুক্ত করুন।

৪. আপনার গল্প বলুন-

আপনি কোন স্কুল/কলেজ/ বিশ্ববিদ্যালয়ে কোন বিষয়ে পড়াশোনা করেছেন তা লিখুন। স্নাতক প্রোগ্রামে কোন কোন কোর্স সম্পন্ন করেছেন তাও অন্তর্ভূক্ত করতে পারেন, তবে আপনার আবেদনকৃত সাবজেক্ট রিলেটেড না হলে দরকার নেই। আপনার সম্পন্ন করা প্রজেক্ট/রিসার্চ সম্পর্কে লিখুন। শিক্ষাজীবনের বিভিন্ন সময়ে কি কি শিখেছেন এবং এগুলো কিভাবে ন্নাতকোত্তর পড়াশোনায় সাহায্য করবে তা তুলে ধরুন।

একদম আপনার নিজেরটা গল্প বলুন। কেনো পড়তে আগ্রহী হলেন আপনার বিষয়টি। বিশ্ববিদ্যালয়ে পড়ার সময়ে কোন কোর্স কেনো ভালো লাগলো, কীরকম কাজ করেছেন তা গল্পের ভাষায় লিখুন। কেনো উচ্চতর শিক্ষা চান কেনো বেছে নিলেন এই বিশ্ববিদ্যালয়।

৫. বিভিন্ন কাজে আপনার অংশগ্রহন সম্পর্কে লিখুন-

বিগত সময়ে বিভিন্ন সেচ্ছাসেবী/ সামাজিক সংস্থা, ক্লাব বা বিভিন্ন সংগঠনের হয়ে কাজ করে থাকলে তা উল্লেখ করুন। সেখানে কি হিসেবে দায়িত্ব পালন করেছেন বা আপনার কাজ কি ছিল তা গুরুত্ব সহকারে তুলে ধরুন। এছাড়া কোন লিডারশীপ বা এই ধরনের ক্যাম্পেইনে যোগদান করে থাকলে তাও অন্তর্ভূক্ত করুন। এই ধরনের কার্যক্রমের অভিজ্ঞতা আপনার পজিটিভ ইন্প্রেশন তৈরি করবে।

৬. লক্ষ্য সম্পর্কে বলুন-

এখানে আপনি কোন বিষয়ে পড়তে চান তা তুলে ধরুন। কেনো এই বিষয়ে পড়বেন বা কোন ধরনের গবেষণা আপনি করতে চান তা এখানে সুস্পষ্টভাবে উল্লেখ করুন।

৭. ভবিষ্যৎ পরিকল্পনা সম্পর্কে বলুন-

মাস্টার্স বা পিএইচডি শেষ করে আপনি কি করতে চান এবং এই ডিগ্রি কিভাবে আপনার লক্ষ্যে পৌঁছতে সাহায্য করবে তা নির্দিষ্ট করে তুলে ধরুন। কেননা এর মাধ্যমে কর্তৃপক্ষ বুঝতে পারবে আপনি কেনো এখানে এই বিষয়ে পড়তে চাচ্ছেন।

৮. মেইলের জন্য সময় নির্ধারণ করুন-

স্টেটমেন্ট অফ পারপাস যদি মেইল করা লাগে সেক্ষেত্রে মেইল কখন পাঠাবেন সে ব্যাপারে সতর্ক হোন। যে দেশে আবেদন করছেন সে দেশের সময়ানুযায়ী সকালে মেইল করুন। কেননা আপনি হয়ত রাতে মেইল করলেন আর প্রোগ্রাম কো-অরডিনেটর বা প্রফেসর সকালে যখন মেইল খুলবেন তখন অনেক মেইলের মাঝে আপনার মেইলটি হারিয়ে যেতেও পারে।

৯. মেইলের ক্ষেত্রে মার্জিত মেইল এড্রেস ব্যবহার করুন-

আপনার মেইল এড্রেসটিকে যথাসম্ভব মার্জিত করুন। ছদ্দনামের মেইল এড্রেস ব্যবহার থেকে বিরত থাকুন। আপনার নামজিমেইল.কম বা আপনার নাম_আপনার ডিপার্টমেন্টটউ জিমেইল.কম এভাবে মেইল এড্রেস তৈরি করার চেস্টা করুন।

১০. উপসংহার-

আপনি এই বিশ্ববিদ্যালয়েই কেনো পড়তে চান তার যৌক্তিক কারণ তুলে ধরুন। মনে রাখবেন এই ব্যাপারে যথেষ্ট

যুক্তি তুলে ধরতে হবে। অন্য কোনো প্রফেসরের সাথে যোগাযোগ করে থাকলে তা জানান। কোনো প্রফেসর আপনার আবেদন গ্রহণ করে থাকলে তা উল্লেখ করুন।

পরিশেষে, স্কলারশীপ/ফান্ডিং পাওয়ার ক্ষেত্রে আপনার আত্মবিশ্বাস প্রকাশ করুন।

নিম্নে একটি SoP এর স্যাম্পল সংযুক্ত করা হলো:

Statement of Purpose

In this statement, I present my undergraduate (UG) track record, which, I believe, is uniquely balanced between the achievement of the highest academic credentials in the history of my department, strong research and publication record in nanoelectronic device modeling and leadership activities; and explain my motivation for applying to the Ph.D. program at Stanford University Electrical Engineering, which originates from my strong research interest in CMOS and non-CMOS devices for next-generation electronics and Stanford’s leading role in this field.

 

Academic studies and research were the two main focuses of my UG studies. I maintained a record GPA of 4.00/4.00 throughout my undergraduate studies, which is the highest CGPA in the history of my department, and also the highest in my graduating class of almost 900 students combined in all departments of the university. Indeed, this is a continuation of my earlier achievement of securing the 1st position in the university entrance examination in 2004, which is considered to be the most competitive exam in the country. My choice of a career in science is inspired by my long-heralded interests in mathematics and physics since childhood and it was my fascination for science in action for the benefit of society that inspired me to choose an engineering career. My UG involvement with IEEE brought me the perspective of electrical engineering in an international setting. From the touch with IEEE’s “Spectrum”, I started grasping the idea of Moore’s law and the triumph of nanotechnology worldwide. This first instilled a profound curiosity to discover the nature at nanoscale inside me. I embarked on the journey through self-motivated study and small projects on computational nanoelectronics from junior year.

 

In my undergraduate thesis, I focused on the MOSFET scaling issue and performed multidimensional quantum simulations of capacitance and transport in multigate FETs. This work led our group to get to a significant result that when the fin thickness is scaled down deeply, increasing the number of gates does not significantly improve drive current. Starting by developing a self-consistent electrostatic solver for FinFET in the Comsol Multiphysics platform, the challenge was the computational complexity and heaviness of coupled solution of multidimensional Schrödinger and Poisson equation. I addressed the challenge by taking the cross-section along the direction perpendicular to the transport assuming equal bias at both source and drain and thus reducing the computational burden. Taking the fully-depleted channel and square fin dimension into account, I used the solver to calculate charge density in the channel of FinFET and its capacitance-voltage (C-V) characteristics. This finding was reported at the IEEE Student Conference on Research and Development held in Malaysia on November 2009 and our paper received the “IEEE Electron Device Society Best Paper Award”. After the electrostatic characterization of FinFET, I calculated transport properties in the ballistic limit using the “Top of the Barrier Approach”. I compared double gate and triple gate FinFET with respect to ballistic current performance limit and arrived at the aforementioned conclusion. This novel finding was reported at the 3rd IEEE International NanoElectronics Conference held in Hong Kong on January 2010, which was attended by dignitaries like Prof. Harold Kroto, Nobel laureate in Chemistry, Prof. Karl K. Berggren, MIT, Prof. Paul Alivisatos, UC Berkley.

 

Having developed a background in full-scale computational device modeling, I shifted my focus to compact modeling of III-V MOSFETs. The performance of III-V MOSFETs, notable for their high electron mobility, is heavily affected by the interface trap density. In collaboration with Prof. Alam at Purdue University, I am currently leading a team to develop a computational tool for extracting the density of interface trap states (Dit) in InGaAs channel MOSFETs given its experimental C-V characteristics. I am developing a compact model for semiconductor capacitance (Cs) as a function of surface potential in InGaAs MOSFET with the purpose of eliminating the use of self-consistent numerical simulation techniques. It would be computationally inexpensive and enable the VLSI designers to use this method for Dit extraction. Already, I have modified a compact model for eigenenergy to be applicable to this device and it has been reported to the 6th International Conference on Electrical and Computer Engineering (ICECE) (to be held on December 2010). After the completion of this project, a manuscript will be submitted to IEEE Transaction on Electron Devices. Also, the tool for Dit extraction will be uploaded to nanoHUB when the compact modeling part will be incorporated successfully.

 

Besides studies and research, I was also involved in team efforts and leadership activities. I was the youngest member of the BUET team in two international competitions, the "International Future Energy Challenge (IFEC), 2007", which won the “Outstanding Undergraduate Educational Impact Award” and the “IEEE Enterprise Award” competition 2007. I prepared a detailed business plan in the context of the power crisis in Bangladesh to produce and market biofuel from Jatropha circus (a species of locally abundant shrub) for the “HSBC Young Entrepreneurs Award Competition, 2006-07”. I was the treasurer in the executive committee of the IEEE BUET student branch during ’06-’07. Currently, I am the secretary of the IEEE Electron Device Society Bangladesh Chapter and have successfully arranged an invited talk of Prof. Salahuddin from UC, Berkeley and a distinguished lecture program having Prof. Pinaki Majumder from the University of Michigan-Ann Arbor as the resource person. As a member of the organizing committee of the 6th International Conference on Electrical and Computer Engineering, I am acquiring management and organizing skills. Now that I am a faculty member at BUET and mentoring the 2011 IFEC team of BUET as a graduate student member, seeing my students grasping the ideas conveyed by me, I am confident that I have the innate ability to guide others and take a leadership role.

 

Stanford is at the center stage for a revolution in the electronics industry and I am particularly excited by the diverse expertise and strength of Stanford in this field (experimental and theoretical research in non-traditional electronics and optoelectronics, optical interconnect, three-dimensional device integration, nanoelectromechanical devices, and III-V FETs, etc.). Hence I am strongly motivated to work with the Stanford nanoelectronics group (http://nano.stanford.edu/) and Stanford photonics research center (http://www.stanford.edu/group/dabmgroup/research.html) and particularly interested in the work of Professor Saraswat, Miller, Wong, Nishi and Harris. MOSFETs in III-V materials research by Prof. Saraswat interests me the most because of my current research experiences in the computational and theoretical modeling of such devices. Prof. Saraswat’s research on spin FET from a theoretical point of view appeals to me also because it has the proper blend of physics and engineering that would suit me. The experimental work of Prof. Wong coupled with modeling to improve contact technologies in III-V FETs interests me because it has the potential of making end-of-the-roadmap CMOS devices a reality. Also, his research on nanoelectromechanical switches offers unique advantages such as zero off-state leakage and energy-reversible operation for low standby power and low dynamic power. Prof. Miller’s research on photodetection by optical antennas interests me because it can solve a 20-year-old problem of using optics to make connections between electronic chips reliably. Finally, Prof. Nishi’s work on III-V FET on Silicon for High-Performance Digital Logic is closely aligned with my research interest due to my current understanding of the importance of III-V materials in the future electronics revolution. In summary, I am very inspired by the research on novel electronic devices for advanced functionalities by Stanford. I am excited that if I get into the program I would have the opportunity to contribute to both the “More Moore” and “More than Moore” approach to nanoelectronics scaling and can be a part of the legacy of Stanford’s research on electronics.

 

Last but not the least; I have always groomed myself as having a diverse cultural background. I was in the drama team that performed on the Electrical Day of 2006 & 2007, the largest cultural event of the department of EEE in BUET. After going through the rigor of different activities, I refresh my mind through music by playing violin in my leisure time and through photography. Two of my photos have been exhibited in the 3rd Friendship Art Exhibition held in the National Art Gallery, Dhaka. Finally, I believe that being an academician in a reputed research university will serve my ultimate career dream where I could be working towards the benefit of society through my research. Technology should always be directed to the betterment of mankind. It is the duty of the leaders in research to lead their projects in such a way as to have an impact not only on mankind but also on policy-making issues so that society’s greater interest is served. I have the dream to become a leader in my research field and I strongly believe that I have the potential. The opportunity to pursue my graduate study in the EE dept. of Stanford University will act as the inception of my dream of a successful future